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倒裝芯片通常是功率芯片前來體驗，主要用來封裝大功率LED(>1W)成就，正裝芯片通常是用來進行傳統(tǒng)的小功率φ3～φ10的封裝核心技術體系。因此逐步顯現，功率不同導(dǎo)致二者在封裝及應(yīng)用的方式均有較大的差別不折不扣，主要區(qū)別有如下幾點：

一完善好、 正裝芯片與倒裝芯片的區(qū)別：

二、正裝芯片與倒裝芯片的結(jié)構(gòu)

正裝芯片結(jié)構(gòu)

正裝芯片是最早出現(xiàn)的芯片結(jié)構(gòu)去完善，該結(jié)構(gòu)中從上至下依次為：電極橋梁作用，P型半導(dǎo)體層,發(fā)光層，N型半導(dǎo)體層和襯底求索，該結(jié)構(gòu)中PN結(jié)處產(chǎn)生的熱量需要經(jīng)過藍寶石襯底才能傳導(dǎo)到熱沉讓人糾結，藍寶石襯底較差的導(dǎo)熱性能導(dǎo)致該結(jié)構(gòu)導(dǎo)熱性能較差，從而降低了芯片的發(fā)光效率和可靠性穩定發展。正裝芯片結(jié)構(gòu)中p電極和n電極均位于芯片出光面管理，電極的遮擋會影響芯片的出光，導(dǎo)致芯片發(fā)光效率較低;正負電極位于芯片同一側(cè)也容易出現(xiàn)電流擁擠現(xiàn)象能力建設，降低發(fā)光效率;此外模樣，溫度和濕度等因素可能導(dǎo)致電極金屬遷移，隨著芯片尺寸縮小服務，正負電極間距減小很重要，電極遷移可能導(dǎo)致短路問題。

倒裝芯片結(jié)構(gòu)：

倒裝芯片結(jié)構(gòu)從上至下依次為藍寶石襯底覆蓋、N型半導(dǎo)體層,發(fā)光層異常狀況，P型半導(dǎo)體層和電極，與正裝結(jié)構(gòu)相比高效，該結(jié)構(gòu)中PN結(jié)處產(chǎn)生的熱量不經(jīng)過襯底即可直接傳導(dǎo)到熱沉應用創新，因而散熱性能良好，芯片發(fā)光效率和可靠性較高;倒裝結(jié)構(gòu)中機構，p電極和n電極均處于底面的特性，避免了對出射光的遮擋，芯片出光效率較高;此外，倒裝芯片電極之間距離較遠信息化，可減小電極金屬遷移導(dǎo)致的短路風(fēng)險形勢。

三、正裝芯片與倒裝芯片封裝制程區(qū)別：

(1).固晶：正裝小芯片采取在直插式支架反射杯內(nèi)點上絕緣導(dǎo)熱膠來固定芯片取得明顯成效，而倒裝芯片多采用導(dǎo)熱系數(shù)更高的銀膠或共晶的工藝與支架基座相連約定管轄，且本身支架基座通常為導(dǎo)熱系數(shù)較高的銅材；

(2).焊線：正裝小芯片通常封裝后驅(qū)動電流較小且發(fā)熱量也相對較小創新的技術，因此采用正負電極各自焊接一根φ0.8～φ0.9mil金線與支架正負極相連即可發揮；而倒裝功率芯片驅(qū)動電流一般在350mA以上，芯片尺寸較大快速增長，因此為了保證電流注入芯片過程中的均勻性及穩(wěn)定性開放以來，通常在芯片正負級與支架正負極間各自焊接兩根φ1.0～φ1.25mil的金線；

(3).熒光粉選擇：正裝小芯片一般驅(qū)動電流在20mA左右穩步前行，而倒裝功率芯片一般在350mA左右結構不合理，因此二者在使用過程中各自的發(fā)熱量相差甚大動手能力，而現(xiàn)在市場通用的熒光粉主要為YAG逐步改善， YAG自身耐高溫為127℃左右，而芯片點亮后提升，結(jié)溫(Tj)會遠遠高于此溫度大大提高，因此在散熱處理不好的情況下，熒光粉長時間老化衰減嚴重研究成果，因此在倒裝芯片封裝過程中建議使用耐高溫性能更好的硅酸鹽熒光粉取得了一定進展；

(4).膠體的選擇：正裝小芯片發(fā)熱量較小，因此傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂就可以滿足封裝的需要大面積；而倒裝功率芯片發(fā)熱量較大積極參與，需要采用硅膠來進行封裝；硅膠的選擇過程中為了匹配藍寶石襯底的折射率培養，建議選擇折射率較高的硅膠(>1.51)交流研討，防止折射率較低導(dǎo)致全反射臨界角增大而使大部分的光在封裝膠體內(nèi)部被全反射而損失掉；同時形式，硅膠彈性較大建設應用，與環(huán)氧樹脂相比熱應(yīng)力比環(huán)氧樹脂小很多，在使用過程中可以對芯片及金線起到良好的保護作用日漸深入，有利于提高整個產(chǎn)品的可靠性動力；

(5).點膠：正裝小芯片的封裝通常采用傳統(tǒng)的點滿整個反射杯覆蓋芯片的方式來封裝，而倒裝功率芯片封裝過程中可靠保障，由于多采用平頭支架自然條件，因此為了保證整個熒光粉涂敷的均勻性提高出光率而建議采用保型封裝(Conformal-Coating)的工藝；示意圖如下：

(6).灌膠成型：正裝芯片通常采用在模粒中先灌滿環(huán)氧樹脂然后將支架插入高溫固化的方式；而倒裝功率芯片則需要采用從透鏡其中一個進氣孔中慢慢灌入硅膠的方式來填充將進一步，填充的過程中應(yīng)提高操作避免烘烤后出現(xiàn)氣泡和裂紋充分發揮、分層等現(xiàn)象影響成品率；

(7).散熱設(shè)計：正裝小芯片通常無額外的散熱設(shè)計成就；而倒裝功率芯片通常需要在支架下加散熱基板重要方式，特殊情況下在散熱基板后添加風(fēng)扇等方式來散熱；在焊接支架到鋁基板的過程中 建議使用功率<30W的恒溫電烙鐵溫度低于230℃系統，停留時間<3S來焊接非常重要；

(8).封裝后成品示意圖：

LED芯片封裝技術(shù)已經(jīng)形成幾個流派，不同的技術(shù)對應(yīng)不同的應(yīng)用空間廣闊，都有其獨特之處營造一處。可以發(fā)現(xiàn)知識和技能，倒裝芯片發(fā)光效率高取得顯著成效、散熱性好、可靠性高實現、量產(chǎn)能力強不容忽視，更適用于小間距和微間距顯示產(chǎn)品。